長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出128層QLC閃存，單顆容量達(dá)1.33Tb

藍(lán)鯨TMT頻道4月13日訊，今天，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC3D NAND閃存（型號(hào)：X2-6070）研發(fā)成功，并已在多家控制器廠(chǎng)商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），以滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）表示：“作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。這既是數(shù)千長(zhǎng)存人汗水的凝聚，也是全球產(chǎn)業(yè)鏈上下游通力協(xié)作的成果。隨著Xtacking®2.0時(shí)代的到來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有決心，有實(shí)力，有能力開(kāi)創(chuàng)一個(gè)嶄新的商業(yè)生態(tài)，讓我們的合作伙伴可以充分發(fā)揮他們自身優(yōu)勢(shì)，達(dá)到互利共贏(yíng)。”

Xtacking® 2.0 進(jìn)一步釋放閃存潛能

得益于Xtacking® 架構(gòu)對(duì)3D NAND控制電路和存儲(chǔ)單元的優(yōu)化，長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層TLC產(chǎn)品在存儲(chǔ)密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現(xiàn)，上市之后廣受好評(píng)。

在長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品中，Xtacking®已全面升級(jí)至2.0，進(jìn)一步釋放3D NAND閃存潛能。在I/O讀寫(xiě)性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實(shí)現(xiàn)1.6Gbps（Gigabits/s 千兆位/秒）的數(shù)據(jù)傳輸速率，為當(dāng)前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲(chǔ)單元分別采用獨(dú)立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進(jìn)的制程，同時(shí)在芯片面積沒(méi)有增加的前提下Xtacking®2.0還為3D NAND帶來(lái)更佳的擴(kuò)展性。未來(lái)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將與合作伙伴攜手，構(gòu)建定制化NAND商業(yè)生態(tài)，共同推動(dòng)產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展。

“我們相信，長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品將會(huì)為合作伙伴帶來(lái)更大的價(jià)值，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。其中，128層QLC版本將率先應(yīng)用于消費(fèi)級(jí)SSD，并逐步進(jìn)入企業(yè)級(jí)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域，以滿(mǎn)足未來(lái)5G、AI時(shí)代多元化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。”

長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)對(duì)技術(shù)創(chuàng)新的持續(xù)投入，已成功研發(fā)128層兩款產(chǎn)品，并確立了在存儲(chǔ)行業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)力。憑借1.6Gb/s高速讀寫(xiě)性能和1.33Tb高容量，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)X2-6070再次向業(yè)界證明了Xtacking®架構(gòu)的前瞻性和成熟度，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實(shí)可行的路徑。龔翊（Grace）強(qiáng)調(diào)：

X2-6070充分發(fā)揮QLC技術(shù)特點(diǎn)

QLC是繼TLC（3 bit/cell）后3D NAND新的技術(shù)形態(tài)，具有大容量、高密度等特點(diǎn)，適合于讀取密集型應(yīng)用。每顆X2-6070 QLC閃存芯片擁有128層三維堆棧，共有超過(guò)3,665億個(gè)有效的電荷俘獲型（Charge-Trap）存儲(chǔ)單元 ，每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)4字位（bit）的數(shù)據(jù)，共提供1.33Tb的存儲(chǔ)容量。如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。 隨著主流消費(fèi)類(lèi)SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來(lái)市場(chǎng)增量將非常可觀(guān)。”Gregory同時(shí)表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢(shì)。在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更低的讀延遲，使其更適用于A(yíng)I計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)，實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。在消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤(pán)，閃存卡和SSD中普及。”

閃存和SSD領(lǐng)域知名市場(chǎng)研究公司Forward Insights創(chuàng)始人兼首席分析師Gregory Wong認(rèn)為：“QLC降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。 隨著主流消費(fèi)類(lèi)SSD容量邁入512GB及以上，QLC SSD未來(lái)市場(chǎng)增量將非?？捎^(guān)。”Gregory同時(shí)表示：“與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢(shì)。在企業(yè)級(jí)領(lǐng)域， QLC SSD將為服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心帶來(lái)更低的讀延遲，使其更適用于A(yíng)I計(jì)算，機(jī)器學(xué)習(xí)，實(shí)時(shí)分析和大數(shù)據(jù)中的讀取密集型應(yīng)用。在消費(fèi)類(lèi)領(lǐng)域，QLC將率先在大容量U盤(pán)，閃存卡和SSD中普及。”