中國(guó)芯片力量：首個(gè)自主研發(fā) 5G 微基站射頻芯片流片成功

　　科技日?qǐng)?bào)報(bào)道，據(jù)南京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)發(fā)布，我國(guó)首個(gè)5G微基站射頻芯片YD9601，在南京宇都通訊科技有限公司經(jīng)過(guò)自主研發(fā)流片成功，目前正在進(jìn)行封裝測(cè)試。

　　5G基站分為宏基站和微基站兩種。宏基站主要用于室外覆蓋，5G微基站主要用于室內(nèi)，發(fā)射功率較小（一般200毫瓦以?xún)?nèi)），廣泛用于機(jī)場(chǎng)高鐵等候區(qū)域、商業(yè)場(chǎng)所、學(xué)校醫(yī)院、園區(qū)工廠(chǎng)和社區(qū)家庭等場(chǎng)景。據(jù)了解，5G微基站可以以較低成本有效解決室內(nèi)覆蓋區(qū)域的容量（如機(jī)場(chǎng)、高鐵和商場(chǎng)等熱點(diǎn)區(qū)域）和覆蓋問(wèn)題（如商業(yè)樓宇和家庭）。

　　“5G微基站射頻芯片項(xiàng)目是我們自主研發(fā)的有線(xiàn)射頻寬帶芯片組的拓展?！贝饲霸谕瞥?G微基站射頻芯片之前，宇都通訊通過(guò)研發(fā)有線(xiàn)射頻寬帶HiNOC2.0芯片，擁有了長(zhǎng)期的射頻芯片技術(shù)積累。

　　獲悉，HiNOC2.0是我國(guó)下一代有線(xiàn)射頻寬帶廣電接入標(biāo)準(zhǔn)，南京宇都HiNOC2.0射頻/基帶芯片組可實(shí)現(xiàn)600兆每秒的下行速率，可與國(guó)際巨頭的同類(lèi)產(chǎn)品對(duì)標(biāo)。站長(zhǎng)資源平臺(tái)在中國(guó)廣播科學(xué)研究院進(jìn)行的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試中，搭載這組芯片的設(shè)備在85dB的線(xiàn)路衰耗下仍可接入，相比國(guó)際產(chǎn)品，抗衰減能力提升了10dB左右，更能適應(yīng)國(guó)內(nèi)復(fù)雜、惡劣的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境。

　　據(jù)介紹，YD9601不光覆蓋700MHz廣電頻段，也兼容了工信部2月初剛剛頒發(fā)許可的3.3—3.4GHz的電信/聯(lián)通/廣電共享室內(nèi)頻段，是為5G時(shí)代室內(nèi)共享微基站量身定做的芯片。